Description

Ưu điểm của thiết bị:

• Độ chính xác, độ nhạy và độ phân giải cao
• Dải phổ rộng: 190-2100 nm
• Thiết kế dạng mô đun
• Bộ phần mềm hoàn toàn tích hợp

Thiết bị cung cấp những thông tin sau:

• Độ dày màng từ 1Å tới >45µm^*
• Các hằng số quang học (n,k) cho màng đẳng hưởng, màng phân cấp
• Độ nhám bề mặt và giao diện
• Các tính chất quang học như hằng số hấp thụ α và vùng cấm quang học Eg
• Các tính chất của vật liệu: thành phần hợp kim, độ xốp, độ tinh thể, tính hình thái và nhất quán.
• Mueller matrix
• Sự khử cực

*Tùy thuộc vào sự hấp thụ vật liệu

Thông số kỹ thuật:

• Dải phổ: 190-880 nm │ 210-880 nm │245-2100 nm │ 190-2100 nm
• Hệ phát hiện: Máy đơn sắc độ phân giải cao kết hợp với detector có độ nhạy cao hoặc hệ thống đa bước sóng 32/64 để thu thập dữ liệu nhanh.

Cấu hình bằng tay:

• Kích thước điểm: 0.08 – 0.1 – 1 mm (lỗ ngắm); 50µm FWHM theo yêu cầu
• Bệ mẫu: 150 mm, độ cao điều khiển bằng tay (4mm) và điều chỉnh độ nghiêng
• Giác kế: góc điều chỉnh bằng tay từ 55° tới 90° bằng bước 5°

Cấu hình tự động:

• Kích thước điểm điều chỉnh bằng tay hoặc tự động: 0.08 – 0.1 – 1 mm hoặc 0.08 – 0.12 – 0.25 – 1.2 mm (lỗ ngắm)
• Bệ mẫu tự động:Bệ mẫu XY 200x200mm, 300×300 mm, độ nghiêng và độ cao điều chỉnh bằng tay (4mm) , bệ mẫu XYZ, bệ theta
• Giác kế tự động: góc tự động điều chỉnh từ 40° tới 90° bằng bước 0.01°

Giác kế tích hợp:

• Góc tới điều chỉnh bằng tay: 35° tới 90° bằng bước 5°
• Gá mẫu: điều chỉnh độ cao trục z bằng tay 150mm, 20mm
• Hệ thống chuẩn trực tự động để định tuyến mẫu (chọn thêm)
• Kích thước: Rộng: 25cm; Cao: 35cm; Sâu: 21 cm

Cấu hình tại chỗ

• Sự thích ứng về mặt cơ học: mép bích CF35 hoặc KF40
• Dễ dàng chuyển đổi giữa cấu hình in-situ và ex-situ
• Xem thêm

Tùy chọn

• Phụ kiện: cell kiểm soát nhiệt độ, cell đựng chất lỏng, cell điện hóa, module phản xạ để đo phản xạ tại góc tới 0°
• Phản xạ kế quang phổ: 450-850nm, kích thước điểm 10µm
• Quan sát: CCD camera
• Xem thêm

Hiệu suất:

• Độ chính xác: Ψ= 45°±0.02° và Δ=0°±0.02° được đo trong cấu hình không khí truyền thẳng 1.5 – 5 eV
• Độ lặp lại: NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 nm): d ± 0.1 % – n(632.8nm) ± 0.0001