Description

Giới thiệu chung

Ưu điểm của thiết bị

• Độ chính xác và độ nhạy cao
• Thiết kế hiện đại
• Dải phổ lớn: 190-2100 nm
• Gói phần mềm hoàn toàn tích hợp để đo, dựng hình và vận hành tự động

Dữ liệu thu được

• Chiều dày màng mỏng từ 1Å tới 50 µm
• Độ nhám bề mặt và giao diện
• Các hằng số quang học (n,k) của các màng đẳng hướng, dị hướng và phân cấp
• Các dữ liệu quang học dẫn xuất như: hằng số hấp thụ α, vùng cấm quang họcEg
• Các tính chất vật liệu: thành phần hợp kim, độ xốp, độ kết tinh, hình thái học…
• Nền Mueller
• Sự phân cực

Thông số kỹ thuật

Thiết bị phân tích phổ phân cực ellip UVISEL Plus có sẵn 2 cấu hình

• 190nm UVISEL Plus mở rộng dải phổ tới 2100 nm
• 190 nm UVISEL Plus 920 nm

Thông số kỹ thuật

• Dải phổ: từ 190 tới 920 nm │Tùy chọn mở rộng NIR tới 2100 nm
• Phát hiện: Máy đơn sắc độ phân giải cao kết hợp với các detector độ nhạy lớn

Cấu hình thủ công

• Kích thước điểm: 0.05 – 0.1 – 1 mm (pinhole)
• Bệ mẫu: 150 mm, chiều cao (20mm) và độ nghiêng điều chỉnh thủ công
• Máy đo góc: Góc điều chỉnh thủ công từ 55° tới 90° với các bước 5°

Cấu hình tự động

• Kích thước điểm điều chỉnh thủ công hoặc tự động: 0.05 – 0.1 – 1 mm hoặc 0.08 – 0.12 – 0.25 – 1.2 mm (pinhole)
• Bệ mẫu tự động: bệ mẫu XY kích thước 200x200mm, 300×300 mm XY, điều chỉnh thủ công chiều cao (4mm) và độ nghiêng , bệ mẫu XYZ, bệ mẫu theta
• Máy đo góc: Điều chỉnh góc tự động từ 40° tới 90° bằng các bước 0.01°

Máy đo góc tích hợp

• Góc tới điều chỉnh thủ công: 35° tới 90° bằng bước 5°
• Giá giữ mẫu: điều khiển chiều cao trục Z thủ công 150mm, 20mm
• Hệ thống chuẩn trực tự động để căn chỉnh mẫu chọn thêm
• Kích thước: R: 25cm; C: 35cm; S: 21 cm

Cấu hình In-situ

• Tiêu chuẩn cơ khí: Mép bích CF35 hoặc KF40
• Dễ dàng chuyển đổi giữa cấu hình in-situ và ex-situ

Tùy chọn

• Phụ kiện: cell điều khiển nhiệt độ, cell chứa mẫu lỏng, cell điện hóa, module  liquid cell, electrochemical cell, module chiết suất để đo hệ số phản xạ tại góc tới 0° incidence…
• Quan sát: CCD camera

Hiệu suất

• Độ chính xác: Ψ= 45°±0.01° và Δ=0°±0.01° đo được trong cấu hình truyền thẳng trong không khí1.5 – 5.3 eV
• Độ lặp lại: NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 nm): d ± 0.1 % – n(632.8nm) ± 0.0001

Tài liệu sản phẩm

UVISEL PLUS Brochure